SIEMENS沈阳PLC授权一级总代理

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关断损耗很大，漏感的能量也会比较大。因此，DCM的反激变换比较适用于高的输入电压（＞100V）和较小输出功率的场合，因为这时初级的峰值电流较小。同时，对于反激电源变换，次级峰值电流高，当要求较小的输出纹波电压时，这样高的峰值电流需要很大的输出滤波电容。电容的交流有效值应满足电路要求。为了减少输出纹波，这样高的电流脉冲需要许多铝或钽电容并联，除非运用较贵的叠层电容。同时，在关断时，初级峰值电流向次级转换，大的阶跃次级峰值电流流入电容，在电容的ESR、ESL上引起很窄尖峰（脉宽通常＜0.5μs，取决于上升时间）。这会一定程度上带来LC滤波问题和电容失效。但非连续工作模式的反激电源，磁芯磁场不存在直流分量的问题，一个周期内磁感应强度的变化量可以比较大。而且非连续反激变换在环路控制方面，不存在右半平面零点的问题。
（6）无论CCM或是DCM，推导输出电压，抓电感一个周期内伏秒积相等；推导输出纹波，抓输出电容的充放电电荷（电容的充放电电流与电感电流纹波相等，存在相位差）。
（7）流过电感的电流不能突变，电容两端的电压不能突变
（4）电流不是特别大时，上管可用PMOS（易于驱动），下管用NMOS，如果上管也用NMOS，则要有自举电路或隔离驱动电路。上管的驱动问题是什么呢？对于所有如Buck、半桥、全桥、LLC、有源钳位等需要上管（NMOS）驱动的地方，如果上管导通时，开关管的源电位为输入电压，此时的驱动电压要输入电压加开关管导通的阈值电压才能让上管顺利导通，而当上管截止，下管导通时，上管的源电位为零。因此为了驱动上管往往需要通过以下三种方法：①的驱动芯片；②隔离变压器；③自举电路
（2）下管MOSFET关断时，体内寄生二管存在反向恢复问题，而对于续流二管一般
（4）目前在功率较小（1～5W）的应用场合，恒流驱动电源成本所占的比重已经接近1/3，已经接近了光源的成本，在一定程度上影响了市场推广。
2.1.4 选择和设计LED驱动电源考虑的问题1.从驱动电源角度分析LED特点
LED由于环保、寿命长、光电效等众多优点，近年来在各行业中的应用得以快速发展。LED的驱动电源成了关注热点，理论上，LED的使用寿命在10万小时以上，但在实际应用过程中，由于驱动电源的设计及驱动方式选择不当，使LED易损坏。从驱动电源的角度看LED的具体特点如下所述。
（1）LED的电流随电压的变化很大。改变而引起电流变动，同时恒定的电流使LED的亮度稳定。
（2）另外，LED光通量与温度成反比，所以使用中应尽量减少驱动电源发热和设计良好的散热系统，从而降低LED的工作的温度。
（3）为了保证LED的整体寿命将LED的节温控制在一定的范围内。
2.1.5 设计LED驱动电源的整体思路
已经介绍过LED驱动电

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